Du học BA · Đề thi thử

EPS — Ngành Điện tử, Điện - Đề 3

Đề thi gồm 40 câu · 80 điểm · Thời gian làm bài 50 phút
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Câu 1.

콘센트에 회로 시험기를 이용하여 교류 전압을 측정하였더니 실효값 200[V]를 지시하였다. 이 때, 최대값 [V]은 약 얼마인가?

A 110
B 200
C 283
D 380
Câu 2.

그림에서 R₁=20[Ω], R₂=30[Ω]이고, 전압 V=120[V]를 가하였다면 회로에 흐르는 전체 전류 I[A]는 얼마인가?

A 1
B 2
C 5
D 10
Câu 3.

내부 저항이 0.1[Ω], 전압이 1.5[V]인 건전지 10개를 직렬로 연결한 후, 2[Ω]의 저항과 연결하였다. 흐르는 전류[A]는?

A 1
B 3
C 5
D 7
Câu 4.

그림에서 3[Ω]에 흐르는 전류[A]는 얼마인가?

A 2
B 4
C 6
D 8
Câu 5.

그림은 계측기 눈금판의 기호이다. 다음 중에서 해당되는 것은?

A 유도형
B 전류력계형
C 가동 코일형
D 가동 철편형
Câu 6.

어느 콘덴서에 그림과 같이 적혀 있었다. 이 콘덴서의 용량[μF]은?

A 10[μF]
B 1[μF]
C 0.1[μF]
D 0.01[μF]
Câu 7.

10[Ω]의 저항 5개를 병렬로 연결하였다. 합성 저항[Ω]은?

A 2
B 5
C 10
D 50
Câu 8.

10[Ω]의 저항에 2.5[A]의 전류를 흐르게 하려면 몇[V]의 전압이 필요한가?

A 10
B 20
C 25
D 30
Câu 9.

회로 시험기(Tester)를 이용하여 여러 가지 사항들을 측정하였다. 다음 중 직접적으로 측정할 수 없는 것은?

A 전압
B 전류
C 전력
D 저항
Câu 10.

3[Ω] 저항이 5개, 5[Ω] 저항이 5개, 10[Ω] 저항 2개를 전부 직렬로 연결하였다. 합성 저항[Ω]은?

A 20
B 40
C 50
D 60
Câu 11.

다음 그림에서 R₁=20[Ω], R₂=30[Ω], R₃=50[Ω], R₄=100[Ω]이고 전압을 200[V] 인가하였다. R₃에 걸리는 전압 V₃[V]는?

A 20
B 30
C 50
D 100
Câu 12.

전력량의 단위로 옳은 것은?

A [Wh]
B [V]
C [A]
D [W]
Câu 13.

0.1[A]는 몇[mA]인가?

A 10
B 100
C 1000
D 10000
Câu 14.

C₁과 C₂의 직렬 회로에 V[V]의 전압을 가할 때 C₁, C₂에 걸리는 전압으로 옳은 것은?

A V₁ = C₁/(C₁+C₂) × V, V₂ = C₂/(C₁+C₂) × V
B V₁ = C₂/(C₁+C₂) × V, V₂ = C₁/(C₁+C₂) × V
C V₁ = (C₁+C₂)/C₁ × V, V₂ = (C₁+C₂)/C₂ × V
D V₁ = (C₁+C₂)/C₂ × V, V₂ = (C₁+C₂)/C₁ × V
Câu 15.

그림은 트랜지스터의 기호이다. 다음 중 해당되지 않는 것은?

A 캐소드(cathode)
B 이미터(emitter)
C 베이스(base)
D 컬렉터(collector)
Câu 16.

일반적으로 교류 회로의 전력은 평균 전력 P=VIcos θ[W]로 나타낸다. 여기서 cos θ가 의미하는 것은?

A 전압(voltage)
B 전류(electric current)
C 역률(power factor)
D 주파수(frequency)
Câu 17.

호도법으로 π/4[rad]를 도수법으로 환산하면 얼마인가?

A 30°
B 45°
C 60°
D 90°
Câu 18.

그림의 회로에서 양단에 20[V]를 가하였다. 틀린 것은?

A 합성 저항 R₀= 5[Ω]이다.
B 회로에 흐르는 전체 전류는 4[A]이다.
C 10[Ω]에 흐르는 전류는 0.8[A]이다.
D 2.5[Ω]에 흐르는 전류는 2.2[A]이다.
Câu 19.

그림의 기호는 전기 회로에서 무엇을 의미하는가?

A 직류 전원
B 교류 전원
C 전동기
D 발전기
Câu 20.

다음 중 저항의 종류로 옳지 않은 것은?

A 탄소 피막 저항기
B 솔리드 저항기
C 금속 피막 저항기
D 마일러 저항기
Câu 21.

다음 중 원자의 기본구조가 아닌 것은?

A 분자
B
C 양자
D 중성자
Câu 22.

다음 중 단일 소자 반도체가 아닌 것은?

A 실리콘(silicon)
B 게르마늄(germanium)
C 카본(carbon)
D 동(copper)
Câu 23.

다음 중 n형 반도체에서 5가 불순물 원자를 첨가하는 물질이 아닌 것은?

A 비소(As)
B 인(P)
C 안티몬(Sb)
D 알미늄(Al)
Câu 24.

다음 중 n형 반도체에 다수 캐리어(carrier)는 무엇인가?

A 전도전자
B 양자
C 가전자
D 정공
Câu 25.

다음 중 LED(light emitting diode)의 역할은?

A 역방향 바이어스(bias)일 때 광을 방출한다.
B 역방향 바이어스(bias)일 때 광을 감지한다.
C 순방향 바이어스(bias)일 때 광을 방출한다.
D 순방향 바이어스(bias)일 때 광을 감지한다.
Câu 26.

다음 중 고주파에서와 고속 스위칭 응용에 사용되는 다이오드는?

A 레이저 다이오드(laser diode)
B 제너 다이오드(zener diode)
C 터널 다이오드(tunnel diode)
D 쇼트키 다이오드(schottky diode)
Câu 27.

다음 중 부성저항 특성을 가진 다이오드는 어느 것인가?

A 터널 다이오드(tunnel diode)
B 제너 다이오드(zener diode)
C 레이저 다이오드(laser diode)
D 발광 다이오드(light emitting diode)
Câu 28.

다음 중 전압 안정화에서 제너다이오드의 음극은 정상적으로 어떻게 되는가?

A 양극보다 더 양이 된다.
B 양극보다 더 음이 된다.
C +0.7V이다.
D 정지된다.
Câu 29.

다음 중 역방향 전압에 따른 가변 정전용량 다이오드는?

A 버랙터 다이오드(varactor diode)
B 제너 다이오드(zener diode)
C 레이저 다이오드(laser diode)
D 발광 다이오드(light emitting diode)
Câu 30.

다음 중 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 3단자는?

A npn
B pnp
C 입력, 출력, 접지
D 이미터(emitter), 컬렉터(collector), 베이스(base)
Câu 31.

다음 중 차단과 포화에서 동작될 때 트랜지스터(transistor)는 무엇처럼 동작하는가?

A 선형증폭기
B 가변용량
C 가변저항
D 스위치(switch)
Câu 32.

다음 중 실리콘(silicon) BJT(bipolar transistor)의 순방향 바이어스(bias)된 베이스(base)-이미터(emitter) 접합 양단 전압은?

A 0V
B 0.5V
C 0.7V
D 1.0V
Câu 33.

다음 중 트랜지스터(transistor)가 도통하지 않은 상태를 무엇이라 하는가?

A 차단(cut off)
B 포화(saturation)
C 이득(gain)
D 선형(linear)
Câu 34.

다음 중 트랜지스터(transistor) 베이스 바이어스(base bias)의 결점은?

A 매우 복잡하다.
B 이득을 낮게 만든다.
C 큰 누설전류를 만든다.
D 아주 β에 의존한다.
Câu 35.

다음 중 공통 베이스(base)증폭기의 입력저항은?

A 매우 높다.
B 매우 낮다.
C 같다.
D 무한대
Câu 36.

다음 중 다이리스터(thyristor)는 몇 개의 pn접합을 갖는가?

A 1개
B 2개
C 3개
D 4개
Câu 37.

다음 중 SCR(silicon-controlled rectifier)이 쇼클리 다이오드(shockley diode)와 다른 이유는 무엇인가?

A 강제적 전환
B 게이트(gate) 단자를 가짐
C 4층 구조를 갖지 않음
D 다이리스터(thyristor)가 아님
Câu 38.

다음 중 광 SCR(silicon-controlled rectifier)은 무엇에 대해 반응하는가?

A 전류
B 전압
C 습기
D
Câu 39.

다음 중 SCR(silicon-controlled rectifier)은 무엇인가?

A 저전력 소자
B 4층 다이오드(diode)
C 고전류 소자
D 양방향성
Câu 40.

다음 중 트라이액(triac)은 어떠한 소자인가?

A 양방향성 SCR(silicon-controlled rectifier)과 유사함
B 4단자 소자
C 고전류 소자
D 2층 다이오드(diode)
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